SDY-5型雙電測四探針測試儀采用了四探針雙位組合測量技術(shù),利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，能自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響，從而提高了測量結(jié)果的準確度
    使用本儀器進行測量時，由于不需要進行幾何邊界條件和探針間距的修正，因而對各種形狀的薄膜材料及片狀材料有廣泛的適用性。儀器特別適用于測量片狀半導體材料電阻率以及硅擴散層、離子注入層、異型外延層等半導體器件和液晶片導電膜、電熱膜等薄層(膜)的方塊電阻.
    儀器以大規(guī)模集成電路為核心部件,特別采用了平面輕觸式開關設計和各種工作狀態(tài)LED指示.并應用了微計算機技術(shù),利用HQ-710F型微計算機作為測量控制及數(shù)據(jù)處理器,使得測量、計算、讀數(shù)更加直觀、快速，并能打印全部預置和測量數(shù)據(jù)。

技術(shù)指標：
1、測量范圍：電阻率：0.001－200Ω.cm(可擴展)
薄層電阻:0.01-2000Ω/口(可擴展)
可測晶片厚度：≤3.00mm
2、恒流電源:電流分為100mA、1mA、10mA、 100ma 四檔 ；連續(xù)可調(diào)；穩(wěn)定度優(yōu)于0.3% 
3、數(shù)字電壓表：量程：0－199.99mV;分辨率：0.01mV精度：±0.1%
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示。極性、小數(shù)點、超量程自動顯示；
4、模擬電路測試誤差：(用1、10、100、1000 ?精密電阻測量)≤±0.3%±1字;
5、整機準確度：(用0.01至180Ω.cm硅標樣片測試)≤4%
6、微計算機功能：
A 鍵盤控制測量取數(shù)，自動控制電流換向和電流、電壓探針的變換，并進行正、反向電流下的測量，顯示出平均值
B 鍵盤控制數(shù)據(jù)處理，按內(nèi)存公式計算出薄層電阻或電阻率平均值以及百分變化。
C 鍵盤控制打印全部測量數(shù)據(jù)。包括測量條件，各次測量平均值、zui大值、zui小值，百分變化等數(shù)據(jù)。
7、外形尺寸：電氣主機：360mm×320mm×100mm； 微計算機：300mm×210mm×105mm
8、儀器重量：電氣主機：約4kg；測試架(J-2A型):約5kg;微計算機:約2.5kg;
9、電源：AC 220V±10%,50Hz,功率<25W
10、測試環(huán)境：溫度23±2℃；相對濕度≤65％；無高頻干擾；無強光照射。