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RTS-3型手持式四探針測(cè)試儀

  • 簡(jiǎn)單描述
  • RTS-3型手持式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
  • 更新時(shí)間：  2017-10-11
  • 產(chǎn)品型號(hào)：  RTS-3
詳細(xì)介紹

  RTS-3型手持式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。

儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。如有需要可加配測(cè)試臺(tái)使用。
    本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。

技術(shù)參數(shù)：

 測(cè)量范圍

 電阻率：0.01～1999.9Ω.cm；  
 方塊電阻：0.1～19999Ω/□； 

恒流源

 電流量程分為100μA、1mA兩檔，兩檔電流連續(xù)可調(diào)

數(shù)字電壓表

 量程及表示形式：000.00～199.99mV； 分辨力：10μV；  
 輸入阻抗：>1000MΩ； 精度：±0.1%；  
 顯示：以大屏幕LCD顯示讀數(shù)，直觀清晰；極性、超量程自動(dòng)顯示；

四探針探頭基本指標(biāo)

 間距：1±0.01mm；  針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 機(jī)械游移率：≤0.3%；
 探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm； 探針壓力：5～16 牛頓(總力)；

四探針探頭應(yīng)用參數(shù)

 (見探頭附帶的合格證)

模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差
( 按JJG508-87進(jìn)行)

 1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字

整機(jī)測(cè)量zui大相對(duì)誤差

(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%

整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度

 ≤5%

外型尺寸

 185mm(長(zhǎng))*90mm(寬)*30mm(高)

重量

 350g

電源

 鋰電池，一次充電可連續(xù)使用100小時(shí)；

標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境

 溫度：23±2℃； 相對(duì)濕度：≤65%； 無高頻干擾； 無強(qiáng)光直射；
配置

四探針測(cè)試儀主機(jī)、四探針探頭

8500/套

 


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